الصفحة الرئيسية
عن الكلية
عمادة الكلية
كلمة عميد الكلية
نبذة عن العمادة
العمداء السابقون
وكالات الكلية
وكالة الكلية
كلمة وكيل الكلية
نبذة عن وكالة الكلية
وكالة الكلية للدراسات العليا
كلمة وكيل الكلية للدراسات العليا
نبذة عن وكالة الكلية للدراسات العليا
الأنشطة العلمية
وحدة ريادة الأعمال
وحدة الجودة والتطوير
شعبة الإعتماد الأكاديمي
شعبة الجودة
شعبة القياس والتقويم
شعبة التدريب وتطوير الموارد البشرية
وكالة الكلية (شطر الطالبات)
إدارة الكلية
كلمة مدير الإدارة
كلمة مديرة الإدارة
إدارة الكلية شطر الطلاب
إدارة الكلية شطر الطالبات
الخطة الاستراتيجية
الشؤون التعليمية
مواقع التدريب التفاعلي
البحث العلمي
الأبحاث
مجلة كلية العلوم
تواصل معنا
الملفات
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
كلية العلوم
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
مقال في مجلة دورية
عنوان الوثيقة
:
Single crystalline quasi aligned one dimensional P-type Cu2O nanowire for improving Schottky barrier characteristics
Single crystalline quasi aligned one dimensional P-type Cu2O nanowire for improving Schottky barrier characteristics
الموضوع
:
كيمياء
لغة الوثيقة
:
الانجليزية
المستخلص
:
Schottky diodes usually exhibit non-ideal characteristics. The departure from an ideal junction may result from a thick interfacial layer between the semiconductor and metal, or the presence of series resistance from the bulk semiconductor below the depletion region and back side Ohmic contact resistance. In the present work an attempt was made to avoid most of these factors in order to obtain Schottky diode with better characteristics. For such purpose, single crystalline vertically aligned P-type Cu2O nanowires are deposited on a silicon substrate using solid-vapor technique, without using a catalyst or pre-deposited buffer layers. The structure and morphology of the as-synthesized nanowires are characterized using X-ray diffraction, scanning and transmission electron microscopy. The results showed that the use of CuCl2 is critical for the formation of Cu2O nanowires. The (I-V) and (C-V) characteristic curves of Au/p-Cu2O Schottky diode were measured. The results showed that the ideality factor, barrier height and donor state density states equal 1.05, 1.32 eV and 3.65 × 1018 cm-3, respectively.
ردمد
:
0167-577X
اسم الدورية
:
Materials Letters
المجلد
:
65
العدد
:
12
سنة النشر
:
1432 هـ
2011 م
نوع المقالة
:
مقالة علمية
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Wednesday, February 8, 2012
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
محمد حافظ
Hafez, Mohammad
باحث
دكتوراه
فهد مسعود المرزوقي
Al-Marzouki, Fahad M
باحث
دكتوراه
fmarzouki1@kau.edu.sa
وليد السيد محمود
Mahmoud, Waleed E
باحث
دكتوراه
w_e_mahmoud@yahoo.com
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
32221.pdf
pdf
Abstract
الرجوع إلى صفحة الأبحاث