الصفحة الرئيسية
عن الكلية
عمادة الكلية
كلمة عميد الكلية
نبذة عن العمادة
العمداء السابقون
وكالات الكلية
وكالة الكلية
كلمة وكيل الكلية
نبذة عن وكالة الكلية
وكالة الكلية للدراسات العليا
كلمة وكيل الكلية للدراسات العليا
نبذة عن وكالة الكلية للدراسات العليا
الأنشطة العلمية
وحدة ريادة الأعمال
وحدة الجودة والتطوير
شعبة الإعتماد الأكاديمي
شعبة الجودة
شعبة القياس والتقويم
شعبة التدريب وتطوير الموارد البشرية
وكالة الكلية (شطر الطالبات)
إدارة الكلية
كلمة مدير الإدارة
كلمة مديرة الإدارة
إدارة الكلية شطر الطلاب
إدارة الكلية شطر الطالبات
الخطة الاستراتيجية
الشؤون التعليمية
مواقع التدريب التفاعلي
البحث العلمي
الأبحاث
مجلة كلية العلوم
تواصل معنا
الملفات
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
كلية العلوم
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
مقال في مجلة دورية
عنوان الوثيقة
:
Simple and efficient Monte Carlo simulation of high-temperature hole transport in silicon and diamon
Simple and efficient Monte Carlo simulation of high-temperature hole transport in silicon and diamon
لغة الوثيقة
:
العربية
المستخلص
:
The Monte Carlo method is used to simulate the hole transport in silicon and diamond. A simple model based on one nonparabolic band (the heavy hole band) without iteration has been used. The temperature dependence of the density-of-states effective mass (accounting for nonparabolicity) has been taken into account in calculating the scattering rates. Carrier dynamics have been calculated using the density-of-states effective mass at room temperature, which does not vary considerably from its value at high temperature. The resulting model gives reasonable accuracy above room temperature. (C) 2001 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.
اسم الدورية
:
MICROELECTRONICS JOURNAL
المجلد
:
32
العدد
:
4
سنة النشر
:
2001 هـ
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Tuesday, June 24, 2008
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
Gamal SH
Gamal SH
باحث
طلال صدقة الحربي
Al-Harbi TS
باحث
dr-tharbi@hotmail.com
الرجوع إلى صفحة الأبحاث